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机译:Ga和N极性的同质外延GaN中与激子有关的光致发光
Kirilyuk, V.; Zauner, A.R.A.; Christianen, P.C.M.; Weyher, J.L.; Hageman, P.R.; Larsen, P.K.;
机译:GaN同质外延层生长中与极性相关的问题
机译:碳起源孔阱对同性记n型GaN层中的光致发光和光电导慢的贡献
机译:在不同雾取向的单晶衬底上生长的同质外延N极性GaN的光致发光研究
机译:同质外延GaN层近带隙区域的光致发光动力学
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:硅基同质InGaN / GaN蓝色发光二极管反向漏电流特性的显着改善
机译:同质外延GaN中激子的光致发光研究
机译:N面AlGaN / GaN的外延结构,有源器件及其制造方法,具有集成和极性反转
机译:N面AlGaN / GaN的外延结构,有源器件以及通过积分和极性反转制造相同器件的方法
机译:与氮极性GaN的欧姆接触
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